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產(chǎn)品系列

首頁網(wǎng)絡(luò)設(shè)備產(chǎn)品進(jìn)口KDS晶振,DSO221SR晶體振蕩器,進(jìn)口有源晶振,1XSF006140AR

    進(jìn)口KDS晶振,DSO221SR晶體振蕩器,進(jìn)口有源晶振,1XSF006140AR

  • 編號(hào)：14202548
  • 頻率：0.2~167.0MHZ
  • 尺寸：2.5*2.0詳細(xì)瀏覽PDF文檔
  • RoHS
  • RoHS2
可直接驅(qū)動(dòng)CMOS集成電路,"1XSF006140AR"已實(shí)現(xiàn)與薄型IC(TSSOP封裝,TVSOP封裝)同樣的1mm厚度,斷開時(shí)的消費(fèi)電流是15 μA以下,纏帶包裝方式可對應(yīng)自動(dòng)搭載及IR回流焊接(無鉛對應(yīng)).

    進(jìn)口KDS晶振,DSO221SR晶體振蕩器,進(jìn)口有源晶振,"1XSF006140AR"產(chǎn)品具有優(yōu)良的耐熱性,耐環(huán)境特性,可發(fā)揮晶振優(yōu)良的電氣特性,符合RoHS規(guī)定,滿足無鉛焊接的高溫回流溫度曲線要求,金屬外殼的封裝使得產(chǎn)品在封裝時(shí)能發(fā)揮比陶瓷諧振器外殼更好的耐沖擊性.

規(guī)格參數(shù) DSO221SR
頻率范圍 0.2~167.0MHZ
電源電壓 +1.8 ~ +3.3V
消費(fèi)電流 +2.0mA max ,+3.5mA max
出力電壓 0.8Vp-p min(f≤52MHZ)
溫度特征 ±2.5×10-6 max /-30~+85℃
±2.5×10-6 max /-40~+85℃(Option)
出力負(fù)荷 15pF
負(fù)荷變動(dòng)特性 ±0.2×10-6 max (10KΩ//10pF ± 10%)
電源電壓特性 ±0.2×10-6 max (Vcc ± 5%)
老化率 ±1.0×10-6 max /year
起動(dòng)時(shí)間 2.0ms max




     日本大真空晶振成立于1959年,從事電子元器件和電子設(shè)備的制造和銷售,主要的產(chǎn)品有晶體諧振器:"1XSF006140AR"晶體為消費(fèi)類電子產(chǎn)品、工業(yè)水晶音叉晶體諧振器:音叉晶體時(shí)鐘,SMD音叉晶體.晶體振蕩器:SPXO(簡單打包的晶體振蕩器),TCXO(溫度補(bǔ)償晶體振蕩器),VCXO(壓控晶體振蕩器).努力繼續(xù)創(chuàng)造利潤和履行企業(yè)社會(huì)責(zé)任,實(shí)現(xiàn)以顧客為中心、創(chuàng)新、高效的企業(yè)管理,“依賴”是我們公司的政策.

     "1XSF006140AR"石英材料中的二氧化硅分子(SiO2) 在正常狀態(tài)下, 其電偶極是互相平衡的電中性. 在(圖二左)的二氧化硅是以二維空間的簡化圖形. 當(dāng)我們在硅原子上方及氧原子下方分別給予正電場及負(fù)電場時(shí), 空間系統(tǒng)為了維持電位平衡, 兩個(gè)氧原子會(huì)相互排斥, 在氧原子下方形成一個(gè)感應(yīng)正電場區(qū)域, 同時(shí)在硅原子上方產(chǎn)生感應(yīng)負(fù)電場區(qū)域. 相反的情況, 當(dāng)我們在硅原子上方及氧原子下方分別給予負(fù)電場及正電場時(shí), 兩個(gè)氧原子會(huì)相互靠近, 氧原子下方產(chǎn)生感應(yīng)負(fù)電場,硅原子上方產(chǎn)生感應(yīng)正電場. (圖). 然而, 氧原子的水平位置變化時(shí), 鄰近的另一個(gè)氧原子會(huì)相對的產(chǎn)生排斥或吸引的力量, 迫使氧原子回到原來的空間位置. 因此, 電場的力量與原子之間的力量會(huì)相互牽動(dòng), 電場的改變與水平方向的形變是形成交互作用狀態(tài). 這個(gè)交互作用會(huì)形成一個(gè)在石英材料耗能最小的振動(dòng)狀態(tài), 祇要由電場持續(xù)給與能量, 石英材料就會(huì)與電場之間維持一個(gè)共振的頻率. 這個(gè)壓電效應(yīng)下氧原子的振幅與電場強(qiáng)度及電場對二氧化硅的向量角度有相對應(yīng)的關(guān)系.在實(shí)際的應(yīng)用上, 電場是由鍍在石英芯片上的金屬電極產(chǎn)生, 電場與二氧化硅的向量角度則是由石英晶棒的切割角度來決定.
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