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更多>>愛普生有源晶振,貼片晶振SG-770SDD、愛普生差分晶振,差分貼片晶振,小體積有源石英晶體振蕩器,"SG-770SDD 150.0000ML3",在生產時需要在完全凈化車間,在密封的機器設備中測良,封裝等技術1.防止外界氣體進入組件體內受到污染和增加應力的產生;2.使組件在真空下電阻減小;3.氣密性高.此技術為研發(fā)及生產超小型、超薄型石英晶體元器必須攻克的關鍵技術之一.
差分晶振頻率范圍
50MHz ~ 230MHz
電源電壓
2.5V 或 3.3V
輸出
微分LV-PECL
外部尺寸規(guī)格
7.0 × 5.0 × 1.6mm
特性
帶HFF-XTAL的基頻振蕩器
功能
待機(ST)
低抖動振蕩器,低相位晶振
SG-770SDD愛普生差分#貼片晶振#7050mm, LV-PECL 低電平,低功耗,低電流電壓可達到, 電壓2.5V-3.3V愛普生晶振
低抖動振蕩器,低相位晶振
SG-770SDD愛普生差分#貼片晶振#7050mm, LV-PECL 低電平,低功耗,低電流電壓可達到, 電壓2.5V-3.3V愛普生晶振
晶振參數 | 符號 | SG-770SDD |
標準頻率 | fo | 50.0MHZ to 230.0MHZ |
電源電壓 | Vcc | 2.5V±0.125V/3.3V ± 0.165V |
存儲溫度 | T_stg | -55℃~+125℃ |
工作溫度 | T_use | -20℃~+70℃/-40℃~+85℃ |
頻率公差 | F_tol | ±50.0 × 10-6 Max |
電流消耗 | Icc | 70 mA MAX |
輸出當前禁用 | I_dis | 30 mA MAX |
靜態(tài)電流 | I_std | 50 uA MAX |
對稱性 | SYM | 40% to 60% |
輸出負載 | L_CMOS | 15pF Max |
輸出電壓 | VOH | Vcc-1.1V Min |
VOL | Vcc-1.5V Max | |
上升/下降時間 | tr/tf | 1ns Max |
啟動時間 | T_str | 10ms Max |
頻率老化 | F_aging | ±5.0 × 10-6 / years Max |
"SG-770SDD 150.0000ML3",石英材料中的二氧化硅分子(SiO2) 在正常狀態(tài)下, 其電偶極是互相平衡的電中性. 在(圖二左)的二氧化硅是以二維空間的簡化圖形. 當我們在硅原子上方及氧原子下方分別給予正電場及負電場時, 空間系統(tǒng)為了維持電位平衡, 兩個氧原子會相互排斥, 在氧原子下方形成一個感應正電場區(qū)域, 同時在硅原子上方產生感應負電場區(qū)域. 相反的情況, 當我們在硅原子上方及氧原子下方分別給予負電場及正電場時, 兩個氧原子會相互靠近, 氧原子下方產生感應負電場,硅原子上方產生感應正電場. (圖二). 然而, 氧原子的水平位置變化時, 鄰近的另一個氧原子會相對的產生排斥或吸引的力量, 迫使氧原子回到原來的空間位置. 因此, 電場的力量與原子之間的力量會相互牽動, 電場的改變與水平方向的形變是形成交互作用狀態(tài). 這個交互作用會形成一個在石英材料耗能最小的振動狀態(tài), 祇要由電場持續(xù)給與能量, 石英材料就會與電場之間維持一個共振的頻率. 這個壓電效應下氧原子的振幅與電場強度及電場對二氧化硅的向量角度有相對應的關系.在實際的應用上, 電場是由鍍在石英芯片上的金屬電極產生, 電場與二氧化硅的向量角度則是由石英晶棒的切割角度來決定.
自從歐盟頒布各項綠色環(huán)保指令(如RoHS)后,世界各國已陸續(xù)制定公布相關之法令規(guī)章,推動「綠色產品」的發(fā)展.愛普生電子為了對環(huán)境與人類貢獻一己之力,導入綠色設計之概念,致力生產符合國際綠色環(huán)保指令與客戶特殊要求之產品.我們知道,人類的永續(xù)發(fā)展需要干凈的環(huán)境,如果我們產品中的物質會對環(huán)境造成污染,影響到人類生存的基本條件,不論產品的功能再先進再齊全,也無法對環(huán)境與社會帶來多大的幫助.
"SG-770SDD 150.0000ML3",為追求生產綠色產品之目標,將環(huán)保理念納入采購流程中,采購人員于收集市場資訊時,優(yōu)先提供符合「愛普生電子無有害物質管理作業(yè)標準」之材料相關資訊予產品設計人員參考,并依其要求提供符合規(guī)范之樣品與規(guī)格.原材物料承認時,采購人員須請供應商填寫公司提供之問卷表單及相關RoHS檢測報告,經原材物料相關審驗單位審查通過后,方可使用.
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