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產(chǎn)品系列

首頁(yè)歐美晶振ILSI晶振,ILCX03晶振,無(wú)鉛環(huán)保晶振

    ILSI晶振,ILCX03晶振,無(wú)鉛環(huán)保晶振

  • 編號(hào)：29979983
  • 頻率：8~150MHz
  • 尺寸：5.0*3.2*1.3mm
  • RoHS
  • RoHS2
二腳SMD陶瓷面貼片晶振,表面陶瓷封裝,其實(shí)是屬于壓電石英晶振,是高可靠的環(huán)保性能,嚴(yán)格的頻率分選,編帶盤裝,可應(yīng)用于高速自動(dòng)貼片機(jī)焊接,產(chǎn)品本身設(shè)計(jì)合理,成本和性能良好,產(chǎn)品被廣泛應(yīng)用于平板電腦,MP5,數(shù)碼相機(jī),USB...

　 ILSI晶振,ILCX03晶振,無(wú)鉛環(huán)保晶振.產(chǎn)品具有高精度晶振超小型的表面貼片型石英晶體振蕩器,最適用于移動(dòng)通信終端的基準(zhǔn)時(shí)鐘等移動(dòng)通信領(lǐng)域.比如智能手機(jī),無(wú)線通信,衛(wèi)星導(dǎo)航,平臺(tái)基站等較高端的數(shù)碼產(chǎn)品,晶振本身小型,薄型具備各類移動(dòng)通信的基準(zhǔn)時(shí)鐘源用頻率,貼片晶振具有優(yōu)良的電氣特性,耐環(huán)境性能適用于移動(dòng)通信領(lǐng)域,滿足無(wú)鉛焊接的高溫回流溫度曲線要求.
　晶振的真空封裝技術(shù):是指SMD晶體在真空封裝區(qū)域內(nèi)進(jìn)行封裝.1.防止外界氣體進(jìn)入組件體內(nèi)受到污染和增加應(yīng)力的產(chǎn)生;2.使貼片晶振組件在真空下電阻減小;3.氣密性高.此技術(shù)為研發(fā)及生產(chǎn)超小型、超薄型石英晶振必須攻克的關(guān)鍵技術(shù)之一.
      ILSI America LLC提供廣泛的頻率控制產(chǎn)品,我們的主要業(yè)務(wù)是開發(fā)和供應(yīng)基于貼片進(jìn)口晶振或壓電晶體的產(chǎn)品,其中包括晶體振蕩器以及各種封裝類型的石英或壓電晶體。.我們的晶體振蕩器套件包括我們的時(shí)鐘振蕩器,MEMS振蕩器,VCXO,TCXO,TCVCXO和OCXO產(chǎn)品.

ILSI晶振 單位 ILCX03晶振 石英晶振基本條件
標(biāo)準(zhǔn)頻率 f_nom 8~150MHz 標(biāo)準(zhǔn)頻率
儲(chǔ)存溫度 T_stg -40°C～+85°C 裸存
工作溫度 T_use 0℃~+70℃ 標(biāo)準(zhǔn)溫度
激勵(lì)功率 DL 1.0μW Max. 推薦:100μW ～ 300μW
頻率公差 f_— l ±30ppm +25°C 對(duì)于超出標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)格說(shuō)明,
請(qǐng)聯(lián)系我們以便獲取相關(guān)的信息, http://www.dxwyp.cn/
頻率溫度特征 f_tem ±50× 10-6 /-30°C～+85°C 超出標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)格請(qǐng)聯(lián)系我們.
負(fù)載電容 C 18pF 不同負(fù)載要求,請(qǐng)聯(lián)系我們.
串聯(lián)電阻(ESR) R1 如下表所示 -10°C— +60°C, DL = 100μW
頻率老化 f_age ±5 × 10-6 / year Max. +25°C,第一年
    抗沖擊
貼片環(huán)保晶振可能會(huì)在某些條件下受到損壞.例如從桌上跌落或在貼裝過(guò)程中受到?jīng)_擊.如果產(chǎn)品已受過(guò)沖擊請(qǐng)勿使用.
    輻射
暴露于輻射環(huán)境會(huì)導(dǎo)致石英晶體性能受到損害,因此應(yīng)避免照射.
    化學(xué)制劑/pH值環(huán)境
請(qǐng)勿在PH值范圍可能導(dǎo)致腐蝕或溶解進(jìn)口智能家居晶振或包裝材料的環(huán)境下使用或儲(chǔ)藏這些產(chǎn)品.
    粘合劑
請(qǐng)勿使用可能導(dǎo)致貼片晶振所用的封裝材料,終端,組件,玻璃材料以及氣相沉積材料等受到腐蝕的膠粘劑.(比如,氯基膠粘劑可能腐蝕一個(gè)晶體單元的金屬“蓋”,從而破壞密封質(zhì)量,降低性能.)
    鹵化合物
請(qǐng)勿在鹵素氣體環(huán)境下使用耐高溫晶振.即使少量的鹵素氣體,比如在空氣中的氯氣內(nèi)或封裝所用金屬部件內(nèi),都可能產(chǎn)生腐蝕.同時(shí),請(qǐng)勿使用任何會(huì)釋放出鹵素氣體的樹脂.
靜電
過(guò)高的靜電可能會(huì)損壞石英晶體諧振器,請(qǐng)注意抗靜電條件.請(qǐng)為容器和封裝材料選擇導(dǎo)電材料.在處理的時(shí)候,請(qǐng)使用電焊槍和無(wú)高電壓泄漏的測(cè)量電路,并進(jìn)行接地操作.
     ILSI集團(tuán)將有效率的使用自然資源和能源,以便從源頭減少?gòu)U物產(chǎn)生和排放.我們將在關(guān)注于預(yù)防環(huán)境和安全事故,保護(hù)公眾健康的同時(shí),努力改進(jìn)我們的操作.我公司將積極參與加強(qiáng)公眾環(huán)境、健康和安全意識(shí)的活動(dòng),提高公眾對(duì)普遍的環(huán)境、健康和安全問(wèn)題的注意. 
     根據(jù)環(huán)境方針制定環(huán)境目標(biāo)和目標(biāo),同時(shí)促進(jìn)這些活動(dòng),并定期檢討環(huán)境管理體系的持續(xù)改進(jìn).在我們的環(huán)境政策中教育所有員工和為我們的團(tuán)隊(duì)工作的人,通過(guò)教育和提高意識(shí)來(lái)提高他們的環(huán)保意識(shí).確保公眾環(huán)境保護(hù)活動(dòng)的信息公開.
     ILSI晶振集團(tuán)將確保其進(jìn)口石英晶振產(chǎn)品及相關(guān)設(shè)施滿足甚至超出國(guó)家的、州立的以及地方環(huán)保機(jī)構(gòu)的相關(guān)法規(guī)規(guī)定及其他要求,同時(shí)該公司盡可能的參與并協(xié)助政府機(jī)關(guān)和其他官方組織從事的環(huán)?；顒?dòng). 在地方對(duì)各項(xiàng)設(shè)施的管理責(zé)任中,確保滿方針的目標(biāo)指標(biāo),同時(shí)在各種經(jīng)營(yíng)與生產(chǎn)活動(dòng)中完全遵守并符合現(xiàn)行所有標(biāo)準(zhǔn)規(guī)范的要求.
     ILSI晶振所有的經(jīng)營(yíng)組織都將積極應(yīng)用國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)以及適用的法律法規(guī).為促進(jìn)合理有效的公共政策的制訂實(shí)施加強(qiáng)戰(zhàn)略聯(lián)系.

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我司以“以科技為動(dòng)力，以質(zhì)量求生存”為理念.               為您的產(chǎn)品量身訂制,免費(fèi)取樣,
                                                                                              為您做到低成本,高效率.
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