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首頁歐美晶振MTRONPTI晶振,M6054晶振,壓控溫補振蕩器

MTRONPTI晶振,M6054晶振,壓控溫補振蕩器

編號：13567993
頻率：10~52MHz
尺寸：5.0*3.2*1.5mm

有源晶振,是只晶體本身起振需要外部電壓供應(yīng),起振后可直接驅(qū)動CMOS 集成電路,產(chǎn)品本身已實現(xiàn)與薄型IC（TSSOP封裝,TVSOP封裝）同樣的1mm厚度,斷開時的消費電流是15 μA以下,編帶包裝方式可對應(yīng)自動搭載及IR回流焊接（無...

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　 MTRONPTI晶振,M6054晶振,壓控溫補振蕩器.高精度超小型的表面貼片型石英晶體振蕩器,最適用于移動通信終端的基準時鐘等移動通信領(lǐng)域.比如智能手機,無線通信,衛(wèi)星導(dǎo)航,平臺基站等較高端的數(shù)碼產(chǎn)品,晶振本身小型,薄型具備各類移動通信的基準時鐘源用頻率,貼片晶振具有優(yōu)良的電氣特性,耐環(huán)境性能適用于移動通信領(lǐng)域,滿足無鉛焊接的高溫回流溫度曲線要求.
　貼片晶振晶片邊緣處理技術(shù):貼片晶振是晶片通過滾筒倒邊,主要是為了去除石英晶振晶片的邊緣效應(yīng),在實際操作中機器運動方式設(shè)計、滾筒的曲率半徑、滾筒的長短、使用的研磨砂的型號、多少、填充物種類及多少等各項設(shè)計必須合理,有一項不完善都會使晶振晶片的邊緣效應(yīng)不能去除,而石英晶振晶片的諧振電阻過大,用在電路中Q值過小,從而電路不能振動或振動了不穩(wěn)定.
.

今天的MtronPTI在所有地點均通過ISO9001:2008認證,并且今天繼續(xù)管理嚴格的質(zhì)量控制體系.MtronPTI有源晶振還擁有AS9100 Rev C認證流程,并繼續(xù)改善質(zhì)量,加快流程,并在業(yè)務(wù)的各個方面管理需求流技術(shù),以便在規(guī)定的正確時間交付正確的產(chǎn)品.

型號	符號	M6054
輸出方式	-	Clipped Sine Wave
輸出頻率范圍	fo	10~52MHz
電源電壓	V_CC	+2.85V~+3.15V
頻率公差（含常溫偏差）	f_tol	±0.5ppm
保存溫度范圍	T_stg	-55℃~+105℃
運行溫度范圍	T_use	0℃~+70℃ -30℃~+85℃ -40℃~+85℃
消耗電流	I_CC	45mA max. (fo≦170MHz)
待機時電流（＃1引腳"L"）	I_std	10μA max.
輸出負載	Load-R	10pF
波形對稱	SYM	45~55% [at outputs cross point]
上升時間下降時間	tr, tf	0.5ns max. [20~80% Output, OutputN]

化學(xué)制劑/pH值環(huán)境

請勿在PH值范圍可能導(dǎo)致腐蝕或溶解貼片晶振或包裝材料的環(huán)境下使用或儲藏這些產(chǎn)品.機械振動的影響,當晶振產(chǎn)品上存在任何給定沖擊或受到周期性機械振動時,比如:壓電揚聲器,壓電蜂鳴器,以及喇叭等,輸出頻率和幅度會受到影響.這種現(xiàn)象對通信器材通信質(zhì)量有影響.盡管晶體產(chǎn)品設(shè)計可小化這種機械振動的影響,我們推薦事先檢查并按照下列安裝指南進行操作.

耐焊性

加熱包裝材料至+150°C以上會破壞產(chǎn)品特性或損害振蕩器.如需在+150°C以上焊接晶體產(chǎn)品,建議使用SMD晶體.在下列回流條件下,對晶體產(chǎn)品甚至低功耗晶振使用更高溫度,會破壞產(chǎn)品特性.建議使用下列配置情況的回流條件.安裝這些產(chǎn)品之前,應(yīng)檢查焊接溫度和時間.同時,在安裝條件更改的情況下,請再次進行檢查.如果需要焊接的晶體產(chǎn)品在下列配置條件下進行焊接,請聯(lián)系我們以獲取耐熱的相關(guān)信息.

負載電容

振蕩電路中負載電容的不同,可能導(dǎo)致振蕩頻率與設(shè)計頻率之間產(chǎn)生偏差.試圖通過強力調(diào)整,可能只會導(dǎo)致不正常的振蕩.在使用之前,請指明該振動電路的負載電容(請參閱“負載電容”章節(jié)內(nèi)容).

熱影響

重復(fù)的溫度巨大變化可能會降低受損害的壓控溫補晶振的產(chǎn)品特性,并導(dǎo)致塑料封裝里的線路擊穿.必須避免這種情況.

抗沖擊

貼片晶振可能會在某些條件下受到損壞.例如從桌上跌落或在貼裝過程中受到?jīng)_擊.如果產(chǎn)品已受過沖擊請勿使用.

MtronPTI晶振集團認識到進行環(huán)境管理和資源保持的責任和必要性,同時也認識到針對全球環(huán)境問題,為保持國際環(huán)境而進行各行業(yè)建設(shè)性的合作是極其重要的.過去MtronPTI晶振集團已經(jīng)針對重大污染控制項目建立了一整套記錄程序并且將繼續(xù)識別解決其自身環(huán)境污染及保持問題,加強責任感以便進行環(huán)境績效的持續(xù)改進.

美國MtronPTI晶振將:通過適當控制環(huán)境影響的物質(zhì),減少能源的使用,以達到節(jié)約能源和節(jié)約資源的目的.有效利用資源,防止環(huán)境污染,減少和妥善處理廢物,包括再利用和再循環(huán).通過開展節(jié)能活動和減少二氧化碳排放防止全球變暖.避免采購或使用直接或間接資助或受益剛果民主共和國或鄰近國家武裝組織的礦產(chǎn).遵守有關(guān)環(huán)境保護的法律、標準、協(xié)議和任何公司承諾的其他要求.根據(jù)環(huán)境方針制定環(huán)境目標和目標,同時促進這些活動,并定期檢討環(huán)境管理體系的持續(xù)改進.在我們的環(huán)境政策中教育所有員工和為我們的團隊工作的人,通過教育和提高意識來提高他們的環(huán)保意識.確保公眾環(huán)境保護活動的信息公開.

MtronPTI晶振集團將:不論何時何地盡可能的進行源頭污染預(yù)防.為環(huán)境目標指標的建立與評審提供框架.通過充分利用或回收等方法實現(xiàn)對自然資源的保持.

MtronPTI晶振集團將確保美國進口晶振產(chǎn)品及相關(guān)設(shè)施滿足甚至超出國家的、州立的以及地方環(huán)保機構(gòu)的相關(guān)法規(guī)規(guī)定及其他要求,同時該公司盡可能的參與并協(xié)助政府機關(guān)和其他官方組織從事的環(huán)?；顒? 在地方對各項設(shè)施的管理責任中,確保滿足方針的目標指標,同時在各種經(jīng)營與生產(chǎn)活動中完全遵守并符合現(xiàn)行所有標準規(guī)范的要求.

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