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產(chǎn)品系列

首頁歐美晶振Microcrystal晶振,OM-7604-C7-32.768kHz-20PPM-TA-QC晶振,OM-7604-C7晶振,CMOS輸出晶振

    Microcrystal晶振,OM-7604-C7-32.768kHz-20PPM-TA-QC晶振,OM-7604-C7晶振,CMOS輸出晶振

  • 編號(hào)：40234120
  • 頻率：32.768KHZ
  • 尺寸：3.2*1.5*0.7mm
  • RoHS
  • RoHS2
智能手機(jī)晶振,產(chǎn)品具有高精度超小型的表面貼片型石英晶體振蕩器,最適用于移動(dòng)通信終端的基準(zhǔn)時(shí)鐘等移動(dòng)通信領(lǐng)域.比如智能手機(jī),無線通信,衛(wèi)星導(dǎo)航,平臺(tái)基站等較高端的數(shù)碼產(chǎn)品,晶振本身小型,薄型具備各類移動(dòng)通信的基準(zhǔn)...

　   Microcrystal晶振,OM-7604-C7-32.768kHz-20PPM-TA-QC晶振,OM-7604-C7晶振,CMOS輸出晶振.高精度超小型的表面貼片型石英晶體振蕩器,最適用于移動(dòng)通信終端的基準(zhǔn)時(shí)鐘等移動(dòng)通信領(lǐng)域.比如智能手機(jī),無線通信,衛(wèi)星導(dǎo)航,平臺(tái)基站等較高端的數(shù)碼產(chǎn)品,晶振本身小型,薄型具備各類移動(dòng)通信的基準(zhǔn)時(shí)鐘源用頻率,貼片晶振具有優(yōu)良的電氣特性,耐環(huán)境性能適用于移動(dòng)通信領(lǐng)域,滿足無鉛焊接的高溫回流溫度曲線要求.
　   貼片晶振晶片邊緣處理技術(shù):貼片晶振是晶片通過滾筒倒邊,主要是為了去除石英晶振晶片的邊緣效應(yīng),在實(shí)際操作中機(jī)器運(yùn)動(dòng)方式設(shè)計(jì)、滾筒的曲率半徑、滾筒的長(zhǎng)短、使用的研磨砂的型號(hào)、多少、填充物種類及多少等各項(xiàng)設(shè)計(jì)必須合理,有一項(xiàng)不完善都會(huì)使晶振晶片的邊緣效應(yīng)不能去除,而石英晶振晶片的諧振電阻過大,用在電路中Q值過小,從而電路不能振動(dòng)或振動(dòng)了不穩(wěn)定.
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        微晶的管理團(tuán)隊(duì)以及領(lǐng)導(dǎo)的工作人員.職位提供了一個(gè)積極的例子,在所有領(lǐng)域的質(zhì)量行為.公司.他們激勵(lì)員工始終如一地思考問題.質(zhì)量與成本.必須迅速分析、糾正目前存在的問題,和適當(dāng)?shù)拇胧?所有的經(jīng)理負(fù)責(zé)娛樂一個(gè)內(nèi)部環(huán)境,在那里可以公開指出問題并進(jìn)行討論.通過不斷改進(jìn)技術(shù),過程、產(chǎn)品、服務(wù)、質(zhì)量、環(huán)境保護(hù)、安全和安全方面,微晶Microcrystal有源晶振也將保持其在未來的市場(chǎng)地位.

型號(hào) 符號(hào) OM-7604-C7晶振
WC - CMOS
輸出頻率范圍 fo 32.768KHZ
電源電壓 VCC +1.2V~+5.5V
頻率公差
（含常溫偏差）		 f_tol ±20ppm
保存溫度范圍 T_stg -55℃~+125℃
運(yùn)行溫度范圍 T_use -40℃~+85℃
消耗電流 ICC 45mA max. (fo≦170MHz)
待機(jī)時(shí)電流（＃1引腳"L"） I_std 10μA max.
輸出負(fù)載 Load-R 15pF
波形對(duì)稱 SYM 45~55% [at outputs cross point]
上升時(shí)間 下降時(shí)間 tr, tf 0.5ns max. [20~80% Output, OutputN]
     電源線路
電源的線路阻抗應(yīng)盡可能低.
     輸出負(fù)載
建議將輸出負(fù)載安裝在盡可能靠近耐高溫晶振的地方(在20mm范圍之間).
     未用輸入終端的處理
未用針腳可能會(huì)引起噪聲響應(yīng),從而導(dǎo)致非正常工作.同時(shí),當(dāng)P通道和N通道都處于打開時(shí),電源功率消耗也會(huì)增加；因此,請(qǐng)將未用輸入終端連接到VCC或GND.
     激勵(lì)功率
在晶體單元上施加過多驅(qū)動(dòng)力,會(huì)導(dǎo)致石英低功耗晶振特性受到損害或破壞.電路設(shè)計(jì)必須能夠維持適當(dāng)?shù)募?lì)功率(請(qǐng)參閱“激勵(lì)功率”章節(jié)內(nèi)容).
     負(fù)極電阻
除非振蕩回路中分配足夠多的負(fù)極電阻,否則SMD晶振或振蕩啟動(dòng)時(shí)間可能會(huì)增加(請(qǐng)參閱“關(guān)于振蕩”章節(jié)內(nèi)容)
     負(fù)載電容
振蕩電路中負(fù)載電容的不同,可能導(dǎo)致振蕩頻率與設(shè)計(jì)頻率之間產(chǎn)生偏差.試圖通過強(qiáng)力調(diào)整,可能只會(huì)導(dǎo)致不正常的振蕩.在使用之前,請(qǐng)指明該振動(dòng)電路的負(fù)載電容(請(qǐng)參閱“負(fù)載電容”章節(jié)內(nèi)容).
     晶體振蕩器和實(shí)時(shí)時(shí)鐘模塊
所有石英晶體壓控控制振蕩器和實(shí)時(shí)時(shí)鐘模塊都以IC形式提供.
     噪音
在電源或輸入端上施加執(zhí)行級(jí)別(過高)的不相干(外部的)噪音,可能導(dǎo)致會(huì)引發(fā)功能失?；驌舸┑拈]門或雜散現(xiàn)象.
      通過開展節(jié)能活動(dòng)和減少二氧化碳排放防止全球變暖.避免采購(gòu)或使用直接或間接資助或受益剛果民主共和國(guó)或鄰近國(guó)家武裝組織的礦產(chǎn).遵守有關(guān)環(huán)境保護(hù)的法律、標(biāo)準(zhǔn)、協(xié)議和任何公司承諾的其他要求.根據(jù)環(huán)境方針制定環(huán)境目標(biāo)和目標(biāo),同時(shí)促進(jìn)這些活動(dòng),并定期檢討環(huán)境管理體系的持續(xù)改進(jìn).在我們的環(huán)境政策中教育所有員工和為我們的團(tuán)隊(duì)工作的人,通過教育和提高意識(shí)來提高他們的環(huán)保意識(shí).確保公眾環(huán)境保護(hù)活動(dòng)的信息公開.
      瑞士微晶晶振將:通過適當(dāng)控制環(huán)境影響的物質(zhì),減少能源的使用,以達(dá)到節(jié)約能源和節(jié)約資源的目的.有效利用資源,防止環(huán)境污染,減少和妥善處理廢物,包括再利用和再循環(huán).
      微晶晶振集團(tuán)認(rèn)識(shí)到進(jìn)行環(huán)境管理和資源保持的責(zé)任和必要性,同時(shí)也認(rèn)識(shí)到針對(duì)全球環(huán)境問題,為保持國(guó)際環(huán)境而進(jìn)行各行業(yè)建設(shè)性的合作是極其重要的.
      瑞士大微晶晶振遵守法規(guī)和監(jiān)管要求,從事環(huán)保產(chǎn)品的開發(fā).環(huán)境政策,在其業(yè)務(wù)活動(dòng)的所有領(lǐng)域,從開發(fā)、生產(chǎn)和銷售的壓電石英晶體元器件、壓電石英晶體、石英晶體振蕩器、壓電陶瓷諧振器,集團(tuán)業(yè)務(wù)政策促進(jìn)普遍信任的環(huán)境管理活動(dòng).

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