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產(chǎn)品系列

首頁歐美晶振suntsu晶振,SVC32C晶振,壓控晶體振蕩器

    suntsu晶振,SVC32C晶振,壓控晶體振蕩器

  • 編號(hào)：13115929
  • 頻率：1~55MHz
  • 尺寸：3.2*2.5*1.2mm
  • RoHS
  • RoHS2
3225mm體積非常小的松圖SMD晶振,是民用小型無線數(shù)碼產(chǎn)品的最佳選擇,小體積的晶振被廣泛應(yīng)用到,手機(jī)藍(lán)牙,GPS定位系統(tǒng),無線通訊集,高精度和高頻率的穩(wěn)定性能,非常好的減少電磁干擾的影響,是民用無線數(shù)碼產(chǎn)品最好的選擇,...

　   suntsu晶振,SVC32C晶振,壓控晶體振蕩器.貼片式石英晶體振蕩器,低電壓?jiǎn)?dòng)功率,并且有多種電壓供選擇,比如有1.8V,2.5V,3.3V,3.8V,5V等,產(chǎn)品被廣泛應(yīng)用于,平板筆記本,GPS系統(tǒng),光纖通道,千兆以太網(wǎng),串行ATA,串行連接SCSI,PCI-Express的SDH / SONET發(fā)射基站等領(lǐng)域.符合RoHS/無鉛.
　  石英晶振曲率半徑加工技術(shù):石英晶振晶片在球筒倒邊加工時(shí)應(yīng)用到的加工技術(shù),主要是研究滿足不同曲率半徑石英晶振晶片設(shè)計(jì)可使用的方法.如:1、是指球面加工曲率半徑的工藝設(shè)計(jì)(a、球面的余弦磨量;b、球面的均勻磨量;c、球面加工曲率半徑的配合)2、在加工時(shí)球面測(cè)量標(biāo)準(zhǔn)的設(shè)計(jì)原則(曲率半徑公式的計(jì)算).
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        在2008年,我們將目光投向了精確時(shí)間模塊,并推出了3款GPS紀(jì)律的OCXO.其中之一,打破了晶振廠家工業(yè)界的第一個(gè)“板上安裝的單位”.我們經(jīng)過廣泛培訓(xùn)的銷售人員隨時(shí)可以幫助您從進(jìn)口晶振產(chǎn)品的原型階段到全面生產(chǎn).我們非常自豪能夠在最短的時(shí)間內(nèi)為您提供最新的信息.我們認(rèn)識(shí)到新興技術(shù)的上市時(shí)間的重要性,并開發(fā)了內(nèi)部基礎(chǔ)設(shè)施以滿足您的需求..

型號(hào) 符號(hào) SVC32C
WC - CMOS
輸出頻率范圍 fo 1~55MHz
電源電壓 VCC +1.8V，+2.5V，+3.3V
頻率公差
（含常溫偏差）		 f_tol ±20ppm
保存溫度范圍 T_stg -55℃~+125℃
運(yùn)行溫度范圍 T_use -40℃~+85℃
消耗電流 ICC 45mA max. (fo≦170MHz)
待機(jī)時(shí)電流（＃1引腳"L"） I_std 10μA max.
輸出負(fù)載 Load-R 15pF
波形對(duì)稱 SYM 45~55% [at outputs cross point]
上升時(shí)間 下降時(shí)間 tr, tf 0.5ns max. [20~80% Output, OutputN]
     輻射
暴露于輻射環(huán)境會(huì)導(dǎo)致石英晶體性能受到損害,因此應(yīng)避免照射.
     化學(xué)制劑/pH值環(huán)境
請(qǐng)勿在PH值范圍可能導(dǎo)致腐蝕或溶解耐高溫晶振或包裝材料的環(huán)境下使用或儲(chǔ)藏這些產(chǎn)品.
     靜電
過高的靜電可能會(huì)損壞石英晶體振蕩器,請(qǐng)注意抗靜電條件.請(qǐng)為容器和封裝材料選擇導(dǎo)電材料.在處理的時(shí)候,請(qǐng)使用電焊槍和無高電壓泄漏的測(cè)量電路,并進(jìn)行接地操作.
     鹵化合物
請(qǐng)勿在鹵素氣體環(huán)境下使用有源晶振.即使少量的鹵素氣體,比如在空氣中的氯氣內(nèi)或封裝所用金屬部件內(nèi),都可能產(chǎn)生腐蝕.同時(shí),請(qǐng)勿使用任何會(huì)釋放出鹵素氣體的樹脂.
     粘合劑
請(qǐng)勿使用可能導(dǎo)致SMD晶振所用的封裝材料,終端,組件,玻璃材料以及氣相沉積材料等受到腐蝕的膠粘劑.(比如,氯基膠粘劑可能腐蝕一個(gè)晶體單元的金屬“蓋”,從而破壞密封質(zhì)量,降低性能.)
     自動(dòng)安裝時(shí)的沖擊
自動(dòng)安裝和真空化引發(fā)的沖擊會(huì)破壞產(chǎn)品特性并影響這些進(jìn)口晶體振蕩器.請(qǐng)?jiān)O(shè)置安裝條件以盡可能將沖擊降至低,并確保在安裝前未對(duì)產(chǎn)品特性產(chǎn)生影響.條件改變時(shí),請(qǐng)重新檢查安裝條件.同時(shí),在安裝前后,請(qǐng)確保石英歐美晶振未撞擊機(jī)器或其他電路板等.
      美國(guó)SUNTSU晶振將:通過適當(dāng)控制環(huán)境影響的物質(zhì),減少能源的使用,以達(dá)到節(jié)約能源和節(jié)約資源的目的.有效利用資源,防止環(huán)境污染,減少和妥善處理廢物,包括再利用和再循環(huán).
      通過開展節(jié)能活動(dòng)和減少二氧化碳排放防止全球變暖.避免采購(gòu)或使用直接或間接資助或受益剛果民主共和國(guó)或鄰近國(guó)家武裝組織的礦產(chǎn).遵守有關(guān)環(huán)境保護(hù)的法律、標(biāo)準(zhǔn)、協(xié)議和任何公司承諾的其他要求.根據(jù)環(huán)境方針制定環(huán)境目標(biāo)和目標(biāo),同時(shí)促進(jìn)這些活動(dòng),并定期檢討環(huán)境管理體系的持續(xù)改進(jìn).在我們的環(huán)境政策中教育所有員工和為我們的團(tuán)隊(duì)工作的人,通過教育和提高意識(shí)來提高他們的環(huán)保意識(shí).確保公眾環(huán)境保護(hù)活動(dòng)的信息公開.
      SUNTSU晶振集團(tuán)認(rèn)識(shí)到進(jìn)行環(huán)境管理和資源保持的責(zé)任和必要性,同時(shí)也認(rèn)識(shí)到針對(duì)全球環(huán)境問題,為保持國(guó)際環(huán)境而進(jìn)行各行業(yè)建設(shè)性的合作是極其重要的.
過去SUNTSU晶振集團(tuán)已經(jīng)針對(duì)重大污染控制項(xiàng)目建立了一整套記錄程序并且將繼續(xù)識(shí)別解決其自身環(huán)境污染及保持問題,加強(qiáng)責(zé)任感以便進(jìn)行環(huán)境績(jī)效的持續(xù)改進(jìn).
      SUNTSU晶振集團(tuán)將:不論何時(shí)何地盡可能的進(jìn)行源頭污染預(yù)防.為環(huán)境目標(biāo)指標(biāo)的建立與評(píng)審提供框架.通過充分利用或回收等方法實(shí)現(xiàn)對(duì)自然資源的保持.

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我司以“以科技為動(dòng)力，以質(zhì)量求生存”為理念.               為您的產(chǎn)品量身訂制,免費(fèi)取樣,
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