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產(chǎn)品系列

首頁(yè)歐美晶振ECLIPTEK晶振EB1216YA10-32.000M-TR無(wú)源晶體,美國(guó)進(jìn)口晶振品牌日蝕EB1216

    EB1216YA10-32.000M-TR無(wú)源晶體,美國(guó)進(jìn)口晶振品牌日蝕EB1216

  • 編號(hào)：88459456
  • 頻率：32MHZ
  • 尺寸：1.6*1.2mm
  • RoHS
  • RoHS2
EB1216YA10-32.000M-TR無(wú)源晶體,美國(guó)進(jìn)口晶振品牌日蝕EB1216,Ecliptek晶振,歐美晶振,進(jìn)口晶振,石英晶體,音叉晶體,超小型晶振,1612mm貼片晶振,石英SMD晶振,型號(hào)EB1216,EB1216YA10-32.000M-TR是一款金屬面貼片型的石英晶...

    EB1216YA10-32.000M-TR無(wú)源晶體,美國(guó)進(jìn)口晶振品牌日蝕EB1216,Ecliptek晶振,歐美晶振,進(jìn)口晶振,石英晶體,音叉晶體,超小型晶振,1612mm貼片晶振,石英SMD晶振,型號(hào)EB1216,EB1216YA10-32.000M-TR是一款金屬面貼片型的石英晶體諧振器,采用優(yōu)異的原料打磨而成,具備高質(zhì)量的特點(diǎn),適合用于智能家居,電子設(shè)備,無(wú)線模塊等.
    EB1216JA10-24.576M TR晶振高真空退火處理是消除貼片晶振在加工過(guò)程中產(chǎn)生的應(yīng)力及輕微表面缺陷.在PLC控制程序中輸入已設(shè)計(jì)好的溫度曲線,使真空室溫度跟隨設(shè)定曲線對(duì)晶體組件進(jìn)行退火,石英晶振通過(guò)合理的真空退火技術(shù)可提高晶振主要參數(shù)的穩(wěn)定性,以及提高石英晶振的年老化特性.EB1216YA10-32.000M-TR無(wú)源晶體,美國(guó)進(jìn)口晶振品牌日蝕EB1216

EB1216YA10-32.000M-TR晶振  參數(shù)表
Ecliptek晶振 單位 EB1212晶振 石英晶振基本條件
標(biāo)準(zhǔn)頻率 f_nom 32MHZ 標(biāo)準(zhǔn)頻率
儲(chǔ)存溫度 T_stg -55°C～+125°C 裸存
工作溫度 T_use -40°C～+85°C 標(biāo)準(zhǔn)溫度
激勵(lì)功率 DL 1.0μW Max. 推薦:100μW ～ 300μW
頻率公差 f_— l ±30ppm +25°C 對(duì)于超出標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)格說(shuō)明,
請(qǐng)聯(lián)系我們以便獲取相關(guān)的信息, http://dxwyp.cn/
頻率溫度特征 f_tem ±50× 10-6 超出標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)格請(qǐng)聯(lián)系我們.
負(fù)載電容 C 10pF 不同負(fù)載要求,請(qǐng)聯(lián)系我們.
串聯(lián)電阻(ESR) R1 150 Ohms -10°C— +60°C, DL = 100μW
頻率老化 f_age ±5 × 10-6 / year Max. +25°C,第一年

EB1216YA10-32.000M-TR無(wú)源晶體,美國(guó)進(jìn)口晶振品牌日蝕EB1216  尺寸圖
EB1216YA10-32.000M-TR晶振  使用注意事項(xiàng)
     電源線路
電源的線路阻抗應(yīng)盡可能低.
     輸出負(fù)載
建議將石英晶振輸出負(fù)載安裝在盡可能靠近振蕩器的地方（在20 mm范圍之間）.
     未用輸入終端的處理
未用針腳可能會(huì)引起噪聲響應(yīng),從而導(dǎo)致非正常工作.同時(shí),當(dāng)P通道和N通道都處于打開(kāi)時(shí),電源功率消耗也會(huì)增加；因此,請(qǐng)將未用輸入終端連接到VCC 或GND.EB1216YA10-32.000M-TR無(wú)源晶體,美國(guó)進(jìn)口晶振品牌日蝕EB1216
     熱影響
重復(fù)的溫度巨大變化可能會(huì)降低受損害的進(jìn)口晶振產(chǎn)品特性,并導(dǎo)致塑料封裝里的線路擊穿.必須避免這種情況.
     抗沖擊 
抗沖擊是指晶振產(chǎn)品可能會(huì)在某些條件下受到損壞.例如從桌上跌落,摔打,高空拋壓或在貼裝過(guò)程中受到?jīng)_擊.如果產(chǎn)品已受過(guò)沖擊請(qǐng)勿使用.因?yàn)闊o(wú)論何種石英晶振,其內(nèi)部晶片都是石英晶振制作而成的,高空跌落摔打都會(huì)給晶振照成不良影響. 
     超聲波清洗
（1）使用AT-切割晶體和聲表面濾波器（SAW）/聲表面諧振器的產(chǎn)品,可以通過(guò)超聲波進(jìn)行清洗.但是,在某些條件下, 石英SMD晶振特性可能會(huì)受到影響,而且內(nèi)部線路可能受到損壞.確保已事先檢查系統(tǒng)的適用性.
（2）使用進(jìn)口音叉晶體和陀螺儀傳感器的產(chǎn)品無(wú)法確保能夠通過(guò)超聲波方法進(jìn)行清洗,因?yàn)榫д窨赡苁艿狡茐?EB1216YA10-32.000M-TR無(wú)源晶體,美國(guó)進(jìn)口晶振品牌日蝕EB1216
（3）請(qǐng)勿清洗開(kāi)啟式無(wú)源貼片晶體產(chǎn)品
（4）對(duì)于可清洗晶振產(chǎn)品,應(yīng)避免使用可能對(duì)產(chǎn)品產(chǎn)生負(fù)面影響的清洗劑或溶劑等.
（5）焊料助焊劑的殘留會(huì)吸收水分并凝固.這會(huì)引起諸如位移等其它現(xiàn)象.這將會(huì)負(fù)面影響產(chǎn)品的可靠性和質(zhì)量.請(qǐng)清理殘余的助焊劑并烘干PCB.
     負(fù)載電容
有源晶振振蕩電路中負(fù)載電容的不同,可能導(dǎo)致振蕩頻率與設(shè)計(jì)頻率之間產(chǎn)生偏差.試圖通過(guò)強(qiáng)力調(diào)整,可能只會(huì)導(dǎo)致不正常的振蕩.在使用之前,請(qǐng)指明該振動(dòng)電路的負(fù)載電容（請(qǐng)參閱“負(fù)載電容”章節(jié)內(nèi)容）.
       ECLIPTEK晶振將確保其振蕩器和石英晶體諧振器產(chǎn)品及相關(guān)設(shè)施滿足甚至超出國(guó)家的以及地方環(huán)保機(jī)構(gòu)的相關(guān)法規(guī)規(guī)定及其他要求,同時(shí)該公司盡可能的參與并協(xié)助政府機(jī)關(guān)和其他官方組織從事的環(huán)保活動(dòng). 在地方對(duì)各項(xiàng)設(shè)施的管理責(zé)任中,確保滿足方針的目標(biāo)指標(biāo),同時(shí)在各種經(jīng)營(yíng)與生產(chǎn)活動(dòng)中完全遵守并符合現(xiàn)行所有標(biāo)準(zhǔn)規(guī)范的要求.
       Ecliptek晶振將有效率的使用自然資源和能源,以便從源頭減少?gòu)U物產(chǎn)生和排放.我們將在關(guān)注于預(yù)防環(huán)境和安全事故,保護(hù)公眾健康的同時(shí),努力改進(jìn)我們的操作.我公司將積極參與加強(qiáng)公眾環(huán)境、健康和安全意識(shí)的活動(dòng),提高公眾對(duì)普遍的環(huán)境、健康和安全問(wèn)題的注意.
       ECLIPTEK晶振所有的經(jīng)營(yíng)組織都將積極應(yīng)用國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)以及適用的法律法規(guī).為促進(jìn)合理有效的公共政策的制訂實(shí)施加強(qiáng)戰(zhàn)略聯(lián)系.消除事故和環(huán)境方面的偶發(fā)事件,減少?gòu)U物的產(chǎn)生和排放,有效的使用能源和各種自然資源,對(duì)緊急事件做好充分準(zhǔn)備,以便及時(shí)做出反應(yīng).EB1216YA10-32.000M-TR無(wú)源晶體,美國(guó)進(jìn)口晶振品牌日蝕EB1216
       對(duì)我們的高品質(zhì)貼片晶體產(chǎn)品進(jìn)行檢驗(yàn),同時(shí)告知我們的員工顧客以及公眾,如何安全的使用,如何使用對(duì)環(huán)境影響較小,幫助我們的雇員合同方商業(yè)伙伴服務(wù)提供上理解他們的行為如何影響著環(huán)境.
制造商零件編號(hào) 供應(yīng)商 系列 類型 頻率 頻率穩(wěn)定性 頻率容差 負(fù)載電容
EB2532JA12-26.000M TR Ecliptek EB2532 MHz 晶體 26 MHz ±30ppm ±15ppm 12pF
EB2532JA12-12.000M TR Ecliptek EB2532 MHz 晶體 12 MHz ±30ppm ±15ppm 12pF
EB2532JA12-12.288M TR Ecliptek EB2532 MHz 晶體 12.288 MHz ±30ppm ±15ppm 12pF
EB2532JA12-16.000M TR Ecliptek EB2532 MHz 晶體 16 MHz ±30ppm ±15ppm 12pF
EB2532YA12-12.000M TR Ecliptek EB2532 MHz 晶體 12 MHz ±50ppm ±30ppm 12pF
EB2532YA12-30.000M TR Ecliptek EB2532 MHz 晶體 30 MHz ±50ppm ±30ppm 12pF
EB2532YA12-32.000M TR Ecliptek EB2532 MHz 晶體 32 MHz ±50ppm ±30ppm 12pF
EB2532YA12-13.560M TR Ecliptek EB2532 MHz 晶體 13.56 MHz ±50ppm ±30ppm 12pF
EB2532YA12-24.576M TR Ecliptek EB2532 MHz 晶體 24.576 MHz ±50ppm ±30ppm 12pF
EB2532YA12-16.000M TR Ecliptek EB2532 MHz 晶體 16 MHz ±50ppm ±30ppm 12pF
EB1216JA10-24.000M TR Ecliptek EB1216 MHz 晶體 24 MHz ±30ppm ±15ppm 10pF
EB1216JA10-24.576M TR Ecliptek EB1216 MHz 晶體 24.576 MHz ±30ppm ±15ppm 10pF
EB1216YA10-24.000M TR Ecliptek EB1216 MHz 晶體 24 MHz ±50ppm ±30ppm 10pF
EB1216YA10-24.576M TR Ecliptek EB1216 MHz 晶體 24.576 MHz ±50ppm ±30ppm 10pF
EB1620JA10-24.576M TR Ecliptek EB1620 MHz 晶體 24.576 MHz ±30ppm ±15ppm 10pF
EB1620JA10-25.000M TR Ecliptek EB1620 MHz 晶體 25 MHz ±30ppm ±15ppm 10pF
EB1216YA10-32.000M TR Ecliptek EB1216 MHz 晶體 32 MHz ±50ppm ±30ppm 10pF
EB1620JA10-32.000M TR Ecliptek EB1620 進(jìn)口石英晶體 32 MHz ±30ppm ±15ppm 10pF
EB1216YA10-27.120M TR Ecliptek EB1216 MHz 晶體 27.12 MHz ±50ppm ±30ppm 10pF
EA2025JA18-30.000M TR Ecliptek EA2025 MHz 晶體 30 MHz ±30ppm ±15ppm 18pF
EA2025SA10-32.000M TR Ecliptek EA2025 MHz 晶體 32 MHz ±10ppm ±10ppm 10pF
EB3250AYA08-8.000M TR Ecliptek EB3250 MHz 晶體 8 MHz ±50ppm ±30ppm 8pF
E1SJA18-6.000M TR Ecliptek E1S MHz 晶體 6 MHz ±30ppm ±15ppm 18pF
E1SJA18-18.432M TR Ecliptek E1S MHz 晶體 18.432 MHz ±30ppm ±15ppm 18pF
E1SFA18-4.000M TR Ecliptek E1S MHz 晶體 4 MHz ±50ppm ±30ppm 18pF
E1SJA18-14.31818M TR Ecliptek E1S MHz 晶體 14.31818 MHz ±30ppm ±15ppm 18pF
E1SJA18-6.144M TR Ecliptek E1S MHz 晶體 6.144 MHz ±30ppm ±15ppm 18pF
E1SJA18-28.63636M TR Ecliptek E1S MHz 晶體 28.63636 MHz ±30ppm ±15ppm 18pF
E1SJA18-13.000M TR Ecliptek E1S MHz 晶體 13 MHz ±30ppm ±15ppm 18pF
E1SJA18-19.6608M TR Ecliptek E1S MHz 晶體 19.6608 MHz ±30ppm ±15ppm 18pF
E1SJA18-9.8304M TR Ecliptek E1S MHz 晶體 9.8304 MHz ±30ppm ±15ppm 18pF
E1SJA18-32.000M TR Ecliptek E1S - - - - -
EA2025MA10-16.000M TR Ecliptek EA2025 MHz 晶體 16 MHz ±20ppm ±15ppm 10pF
EA2025MA10-32.000M TR Ecliptek EA2025 MHz 晶體 32 MHz ±20ppm ±15ppm 10pF
E1WCDA12-32.768K Ecliptek E1WC kHz 晶體（音叉） 32.768 kHz - ±20ppm 12.5pF
E1SJA18-18.000M TR Ecliptek E1S MHz 晶體 18 MHz ±30ppm ±15ppm 18pF
E1SJA18-20.000M TR Ecliptek E1S MHz 晶體 20 MHz ±30ppm ±15ppm 18pF
 

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