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產(chǎn)品系列

首頁進(jìn)口晶振KDS晶振KDS高性能晶振,DST310S時鐘晶體,1TJF080DP1AA003晶振

    KDS高性能晶振,DST310S時鐘晶體,1TJF080DP1AA003晶振

  • 編號：84346307
  • 頻率：32.768KHZ
  • 尺寸：3.2*1.5mm
  • RoHS
  • RoHS2
KDS高性能晶振,DST310S時鐘晶體,1TJF080DP1AA003晶振，32.768K時鐘晶體具有小型,薄型,輕型的貼片晶振表面音叉型晶體振蕩器,產(chǎn)品具有優(yōu)良的耐熱性,耐環(huán)境特性,可發(fā)揮晶振優(yōu)良的電氣特性,符合RoHS規(guī)定,滿足無鉛焊接的高...

      KDS高性能晶振,DST310S時鐘晶體,1TJF080DP1AA003晶振，32.768K時鐘晶體具有小型,薄型,輕型的貼片晶振表面音叉型晶體振蕩器,產(chǎn)品具有優(yōu)良的耐熱性,耐環(huán)境特性,可發(fā)揮晶振優(yōu)良的電氣特性,符合RoHS規(guī)定,滿足無鉛焊接的高溫回流溫度曲線要求,金屬外殼的封裝使得產(chǎn)品在封裝時能發(fā)揮比陶瓷振蕩器外殼更好的耐沖擊性.


項目		   型名 DST311S DST310S
周波數(shù)範(fàn)囲   32.768kHz
負(fù)荷容量   8pF
勵振レベル   0.2μW（1.0μW max.）
周波數(shù)許容偏差   ±20×10−6  （at 25℃）
直列抵抗   50kΩ max.
頂點溫度   ＋25℃±5℃
二次溫度係數(shù)   −0.04×10−6/℃ 2  max.
動作溫度範(fàn)囲   −40 ~＋85℃
保存溫度範(fàn)囲   −40 ~＋85℃
並列容量   0.9pF typ. 1.3pF typ.
梱包単位 (1)   3000pcs./reel（φ180）



      KDS高性能晶振,DST310S時鐘晶體,1TJF080DP1AA003晶振，自1959年成立以來,我們在大真空KDS晶振總是確保全球消費者的信任通過提供產(chǎn)品滿足需要投身于更大的復(fù)雜性,在我們的“依賴”的三個哲學(xué):“可靠的人”“可靠的產(chǎn)品,”和“可靠的公司.“作為一個全球石英晶振設(shè)備制造商,我們努力幫助實現(xiàn)新一代電子社會,更方便、更舒適,通過開發(fā)水晶設(shè)備對全球環(huán)境友好.
     KDS高性能晶振,DST310S時鐘晶體,1TJF080DP1AA003晶振，基于我們的座右銘“高質(zhì)量的進(jìn)口石英晶體產(chǎn)品,合理的價格,準(zhǔn)時交貨,“我們建立了一種高效的生產(chǎn)系統(tǒng),以確保穩(wěn)定供應(yīng)水晶設(shè)備,同時保持高質(zhì)量.大真空的綜合生產(chǎn)系統(tǒng),從開發(fā)、切割和拋光的合成無源石英晶體成品——使我們能夠迅速滿足全球客戶的需求.我們將繼續(xù)支持下一代技術(shù)作為主要石英設(shè)備制造市場提供高滿意度的質(zhì)量、成本和交付.


     大真空KDS晶振針對進(jìn)口石英SMD晶振產(chǎn)品中所含的以鉛為首的六價鉻、汞、鎘、PBB、PBD等RoHS指令（Directive of the Restriction of use of the Hazardous Substances）及車載相關(guān)管制的ELV（End of Life Vehicles Directive）中列明的管制物質(zhì)、以及阻燃劑中 使用的鹵素化合物,積極開展削減工作,并準(zhǔn)備了RoHS/ELV指令對應(yīng)產(chǎn)品、無鹵產(chǎn)品以及無鉛產(chǎn)品.KDS高性能晶振,DST310S時鐘晶體,1TJF080DP1AA003晶振.
社會責(zé)任
    大真空組有助于創(chuàng)建一個通過環(huán)境保護活動逐步發(fā)展中社會與環(huán)境的和諧.
遵守法律和監(jiān)管要求
    大真空觀察法規(guī)和監(jiān)管要求,從事環(huán)保產(chǎn)品的開發(fā).

＜石英晶體諧振器＞
   如果過大的激勵電力對石英晶體諧振器,進(jìn)口音叉晶體外加電壓,有可能導(dǎo)致特性老化或損壞,因此請在宣傳冊、規(guī)格書中規(guī)定的范圍內(nèi)使用.
   讓諧振器振蕩的電路寬裕度大致為負(fù)性阻抗值.本公司推薦此負(fù)性阻抗為諧振器串聯(lián)電阻規(guī)格值的5倍以上,若是車載和安全設(shè)備,則推薦10倍 以上.
＜晶體振蕩器＞
   晶體振蕩器的內(nèi)部電路使用C-MOS.閉鎖、靜電對策請和一般的C-MOS IC一樣考慮.
   有些晶體振蕩器沒有和旁路電容器進(jìn)行內(nèi)部連接.使用時,請在Vdd-GND之間用0.01μF左右的高頻特性較好的電容器（陶瓷片狀電容器等）以最短距離連接.關(guān)于個別機型請確認(rèn)宣傳冊、規(guī)格書.KDS高性能晶振,DST310S時鐘晶體,1TJF080DP1AA003晶振.
   注意電路板圖形的配置,避免輸入端子和輸出端子靠得太近.
   如果貼裝晶體濾光片的電路板的雜散電容較大,為了消除該雜散電容,有時需要配置調(diào)諧電路.
   如果過大的激勵電力對無源諧振器外加電壓,有可能導(dǎo)致特性老化或損壞,因此請在晶體濾波器的輸入電平在−10dBm以下的狀態(tài)下使用.

1.技術(shù)支持                                                                        2.客服咨詢                            
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前所未有的后顧無憂.                                                          消費得到保障.
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我司以“以科技為動力，以質(zhì)量求生存”為理念.               為您的產(chǎn)品量身訂制,免費取樣,
                                                                                              為您做到低成本,高效率.
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