低電榮低損耗的匹配方式.使用低匹配的設(shè)計(jì)產(chǎn)品.如手機(jī),電子表之類產(chǎn)品,可大大的節(jié)省電池的損耗,以下是一些精工晶振的解決資料,可在技術(shù)下載中下載詳細(xì)匹配資料.

對AT切晶體來說，在精工表晶使用初期，老化主要受元件內(nèi)部應(yīng)力釋放影響，頻率向升高方向變化，而后期受電極膜吸附的影響，，其頻率按對數(shù)關(guān)系向降低方向變化，隨時(shí)間增加變化量逐漸降低，見圖4。為減小出廠時(shí)的老化率，生產(chǎn)商大都對產(chǎn)品進(jìn)行了預(yù)老化。

　　對老化指標(biāo)，一般都規(guī)定產(chǎn)品的老化水平,而它并非明確的試驗(yàn)條件,這種“水平”，是通過生產(chǎn)有計(jì)劃的抽檢而獲得的?？赡苣承﹤€(gè)別晶體元件比規(guī)定水平會差，這是允許的。
　　目前電阻焊密封的石英晶振元件的老化率水平可以控制±5×10-6以下，對于普通精度產(chǎn)品（頻差大于±30×10-6）的應(yīng)用來說，老化指標(biāo)對元件工作影響并不是很重要，對于小公差（±0×10-6）以下）的晶體元器件來說老化是需要關(guān)注的指標(biāo)。

colmns>表晶>低CL石英晶體 諧振器

低CL諧振器的超低功耗微控制器0。精工儀器低CL世界歡迎您！（11/05/2009）精工儀器正在努力建立一個(gè)新的市場。作為這些努力的一部分，我們已經(jīng)制定了解決方案，降低消耗由32.768晶體振蕩電路，我們的合作，并加強(qiáng)與半導(dǎo)體制造商，有助于大大降低了待機(jī)功耗在待機(jī)狀態(tài)下消耗的電流。
我們針對各種電池供電的電子設(shè)備，特別是和我們的技術(shù)努力（低Cl諧振器的解決方案）與增加壽命和使用時(shí)間的電池，問題將變得越來越重要的市場，介紹如下。

介紹

在努力實(shí)現(xiàn)超低功耗微控制器公司，豐富的電池供電的電子設(shè)備進(jìn)行了優(yōu)化的微控制器產(chǎn)品陣容已經(jīng)出現(xiàn)，這種微控制器的功能和性能已變得清晰?，F(xiàn)在，除了在待機(jī)操作，以減少待機(jī)功耗，延長電池壽命，實(shí)現(xiàn)超低功耗，在正常操作模式由間歇操作的要求是被優(yōu)先考慮。此外，微控制器，包含30千赫低速振蕩時(shí)鐘（看門狗定時(shí)器WDT），消耗盡可能少的待機(jī)電流為0.7微安或更少，使電池可以使用很長一段時(shí)間（10年或以上），現(xiàn)在在實(shí)際使用中。
同時(shí)，我們相信這是可能有助于增加使得減少在待機(jī)狀態(tài)下的待機(jī)功耗的RTC（實(shí)時(shí)時(shí)鐘）的最低目標(biāo)使用電池的使用時(shí)間（10年或以上）音叉晶體諧振器，32 kHz晶體振蕩電路（待機(jī)電流= 32 kHz表晶的振蕩+的RTC +其他組件<0.7微安）的電流消耗0.1微安或更少。

開發(fā)低Cl諧振器的解決方案

我們認(rèn)為有助于大大減少在待機(jī)狀態(tài)下的待機(jī)功率消耗由RTC（在1.8 V至0.7微安）是最優(yōu)先考慮的問題，因此，我們建立了1.8伏的電流大小為0.1 UA或以下的目標(biāo)32.768 kHz晶體振蕩電路所消耗。把這樣的振蕩電路，投入實(shí)際使用，我們已經(jīng)開發(fā)出專為超低功耗微控制器設(shè)計(jì)的低Cl諧振器產(chǎn)品。

編輯：康華爾－－晶振帝國

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