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來源:http://dxwyp.cn 作者:hius 2022年10月18
CMOS有源晶振更適合用于超高精密的醫(yī)療設(shè)備X1G005601020600,在困難面對從來都是無所畏懼的日本愛普生晶振公司,憑著自身的聰明才智不斷在市場上找到新的機會,同時敢于挑戰(zhàn)自我的極限,針對市場現(xiàn)狀開始調(diào)整自身的戰(zhàn)略,使得其一舉成名成為時下最受歡迎的供應(yīng)商之一,通過自身的影響力,實現(xiàn)快速布局于市場,開發(fā)了高質(zhì)量的有源晶振同樣得到用戶的追棒,從而建立新型的里程碑。
CMOS有源晶振更適合用于超高精密的醫(yī)療設(shè)備X1G005601020600,EPSON愛普生車規(guī)晶振在晶振界的市占率在2016-2018年連續(xù)三年位于晶振第一,占比均超過10%(這三年全球營收市占率分別為12.9%、11.7%、12.4%)。EPSON愛普生是目前全球最大的石英晶振供應(yīng)商,技術(shù)發(fā)展處于領(lǐng)先地位,產(chǎn)品覆蓋石英材料、基座及精微化、高精度、高品質(zhì)頻率產(chǎn)品。
愛普生公司非常高興推出了有源貼片晶振SG-8018CG晶振,編碼X1G005601020600,頻率40.000000兆赫,輸出WaveCMOS,電源電壓1.62 ~ 3.63 V,尺寸(LxWxH)2.50 x 2.00 x 0.80 mm,工作溫度-40至+105°C,頻率公差±50ppm,額外的OptionsN /OSC類型可編程時鐘OSC,具有超級高的可靠性能,低電壓,低抖動的特點,常常用于超高精密應(yīng)用,智能家居,醫(yī)療設(shè)備,無線藍牙等行業(yè)。
CMOS有源晶振更適合用于超高精密的醫(yī)療設(shè)備X1G005601020600,EPSON愛普生車規(guī)晶振在晶振界的市占率在2016-2018年連續(xù)三年位于晶振第一,占比均超過10%(這三年全球營收市占率分別為12.9%、11.7%、12.4%)。EPSON愛普生是目前全球最大的石英晶振供應(yīng)商,技術(shù)發(fā)展處于領(lǐng)先地位,產(chǎn)品覆蓋石英材料、基座及精微化、高精度、高品質(zhì)頻率產(chǎn)品。
Product Number | 進口晶振 | Frequency | LxWxH | Output Wave | Supply Voltage | Ope Temperature | Freq. Tol. |
X1G005601019600 | SG-8018CG | 41.140000 MHz | 2.50 x 2.00 x 0.80 mm | CMOS | 1.620 to 3.630 V | -40 to 105 °C | +/-50 ppm |
X1G005601019700 | SG-8018CG | 49.500000 MHz | 2.50 x 2.00 x 0.80 mm | CMOS | 1.620 to 3.630 V | -40 to 105 °C | +/-50 ppm |
X1G005601019800 | SG-8018CG | 6.553600 MHz | 2.50 x 2.00 x 0.80 mm | CMOS | 1.620 to 3.630 V | -40 to 105 °C | +/-50 ppm |
X1G005601019900 | SG-8018CG | 64.000000 MHz | 2.50 x 2.00 x 0.80 mm | CMOS | 1.620 to 3.630 V | -40 to 105 °C | +/-50 ppm |
X1G005601020000 | SG-8018CG | 8.050000 MHz | 2.50 x 2.00 x 0.80 mm | CMOS | 1.620 to 3.630 V | -40 to 105 °C | +/-50 ppm |
X1G005601020100 | SG-8018CG | 1.000000 MHz | 2.50 x 2.00 x 0.80 mm | CMOS | 1.620 to 3.630 V | -40 to 105 °C | +/-50 ppm |
X1G005601020400 | SG-8018CG | 8.000000 MHz | 2.50 x 2.00 x 0.80 mm | CMOS | 1.620 to 3.630 V | -40 to 105 °C | +/-50 ppm |
X1G005601020500 | SG-8018CG | 4.000000 MHz | 2.50 x 2.00 x 0.80 mm | CMOS | 1.620 to 3.630 V | -40 to 105 °C | +/-50 ppm |
X1G005601020600 | SG-8018CG | 40.000000 MHz | 2.50 x 2.00 x 0.80 mm | CMOS | 1.620 to 3.630 V | -40 to 105 °C | +/-50 ppm |
X1G005601020700 | SG-8018CG | 41.010000 MHz | 2.50 x 2.00 x 0.80 mm | CMOS | 1.620 to 3.630 V | -40 to 105 °C | +/-50 ppm |
X1G005601020800 | SG-8018CG | 0.910000 MHz | 2.50 x 2.00 x 0.80 mm | CMOS | 1.620 to 3.630 V | -40 to 105 °C | +/-50 ppm |
X1G005601020900 | SG-8018CG | 69.200000 MHz | 2.50 x 2.00 x 0.80 mm | CMOS | 1.620 to 3.630 V | -40 to 105 °C | +/-50 ppm |
X1G005601021000 | SG-8018CG | 32.768000 MHz | 2.50 x 2.00 x 0.80 mm | CMOS | 1.620 to 3.630 V | -40 to 105 °C | +/-50 ppm |
X1G005601021100 | SG-8018CG | 58.982000 MHz | 2.50 x 2.00 x 0.80 mm | CMOS | 1.620 to 3.630 V | -40 to 105 °C | +/-50 ppm |
X1G005601021200 | SG-8018CG | 155.520000 MHz | 2.50 x 2.00 x 0.80 mm | CMOS | 1.620 to 3.630 V | -40 to 105 °C | +/-50 ppm |
X1G005601021300 | SG-8018CG | 65.000000 MHz | 2.50 x 2.00 x 0.80 mm | CMOS | 1.620 to 3.630 V | -40 to 105 °C | +/-50 ppm |
X1G005601021400 | SG-8018CG | 130.000000 MHz | 2.50 x 2.00 x 0.80 mm | CMOS | 1.620 to 3.630 V | -40 to 105 °C | +/-50 ppm |
X1G005601021500 | SG-8018CG | 16.384000 MHz | 2.50 x 2.00 x 0.80 mm | CMOS | 1.620 to 3.630 V | -40 to 105 °C | +/-50 ppm |
X1G005601021600 | SG-8018CG | 5.000000 MHz | 2.50 x 2.00 x 0.80 mm | CMOS | 1.620 to 3.630 V | -40 to 105 °C | +/-50 ppm |
X1G005601021700 | SG-8018CG | 4.410000 MHz | 2.50 x 2.00 x 0.80 mm | CMOS | 1.620 to 3.630 V | -40 to 105 °C | +/-50 ppm |
X1G005601022200 | SG-8018CG | 22.956600 MHz | 2.50 x 2.00 x 0.80 mm | CMOS | 1.620 to 3.630 V | -40 to 105 °C | +/-50 ppm |
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