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首頁常見問題 關(guān)于Silicon品牌501ACA10M0000DAG振蕩器的技術(shù)知識(shí)問答

關(guān)于Silicon品牌501ACA10M0000DAG振蕩器的技術(shù)知識(shí)問答

來源：http://dxwyp.cn 作者：康華爾電子 2019年11月04
關(guān)于Silicon品牌501ACA10M0000DAG振蕩器的技術(shù)知識(shí)問答
　　對(duì)于Silicon晶振這個(gè)品牌,有部分用戶比較熟悉,因?yàn)镾ilicon Laboratories.公司在世界范圍內(nèi),70多個(gè)國(guó)家里都有使用他們家MEMS振蕩器產(chǎn)品的廠家,Silicon公司是美國(guó)時(shí)序產(chǎn)品的制造商,在頻率元件方面做得非常好,在行業(yè)里排名前10位.Silicon的振蕩器產(chǎn)品主要是MEMS可編程系列的,而且尺寸可以做到非常小,目前Silicon振蕩器的尺寸主要有7050mm,5032mm,3225mm,2520mm,2016mm等封裝.
WXBM.png
　　501ACA10M0000DAG是Si501晶振系列的一條原廠編碼,這個(gè)系列的尺寸是3.2*2.5mm,在MEMS振蕩器里算是比較小的一種體積.主要用于無線通信,5G基站,航空航天設(shè)備,探測(cè)器,程控交換機(jī),千兆光纖網(wǎng)絡(luò)等高端的產(chǎn)品.擁有低衰減,低電平,低抖動(dòng),低電壓,低相控等優(yōu)良的性能.下面表格是501ACA10M0000DAG及其他Silicon貼片晶振產(chǎn)品的編碼,和一些相關(guān)的技術(shù)知識(shí),將通過問答的形式讓用戶更加了解.
501ACA10M0000DAGR Si501晶振 10MHz 1.7V~3.6V (2.50mmx2.00mm)
501JCA10M0000BAFR Si501晶振 10MHz 3.3V (4.00mmx3.20mm)
501JCA10M0000BAGR Si501晶振 10MHz 3.3V (4.00mmx3.20mm)
501JCA10M0000CAFR Si501晶振 10MHz 3.3V (3.20mmx2.50mm)
501JCA10M0000CAGR Si501晶振 10MHz 3.3V (3.20mmx2.50mm)
501JCA10M0000DAFR Si501晶振 10MHz 3.3V (2.50mmx2.00mm)
501JCA10M0000DAGR Si501晶振 10MHz 3.3V (2.50mmx2.00mm)
501HCA12M0000BAFR Si501晶振 12MHz 1.7V~3.6V (4.00mmx3.20mm)
501HCA12M0000BAGR Si501晶振 12MHz 1.7V~3.6V (4.00mmx3.20mm)
501HCA12M0000CAFR Si501晶振 12MHz 1.7V~3.6V (3.20mmx2.50mm)
501HCA12M0000CAGR Si501晶振 12MHz 1.7V~3.6V (3.20mmx2.50mm)
501HCA12M0000DAFR Si501晶振 12MHz 1.7V~3.6V (2.50mmx2.00mm)
501HCA12M0000DAGR Si501晶振 12MHz 1.7V~3.6V (2.50mmx2.00mm)
501BCA16M0000BAFR Si501晶振 16MHz 3.3V (4.00mmx3.20mm)
501BCA16M0000BAGR Si501晶振 16MHz 3.3V (4.00mmx3.20mm)
501BCA16M0000CAFR Si501晶振 16MHz 3.3V (3.20mmx2.50mm)
501BCA16M0000CAGR Si501晶振 16MHz 3.3V (3.20mmx2.50mm)
501BCA16M0000DAFR Si501晶振 16MHz 3.3V (2.50mmx2.00mm)
501BCA16M0000DAGR Si501晶振 16MHz 3.3V (2.50mmx2.00mm)
501BAA16M0000BAFR Si501晶振 16MHz 3.3V (4.00mmx3.20mm)
501BAA16M0000BAGR Si501晶振 16MHz 3.3V (4.00mmx3.20mm)
501BAA16M0000CAFR Si501晶振 16MHz 3.3V (3.20mmx2.50mm)
501BAA16M0000CAGR Si501晶振 16MHz 3.3V (3.20mmx2.50mm)
501BAA16M0000DAFR Si501晶振 16MHz 3.3V (2.50mmx2.00mm)
501BAA16M0000DAGR Si501晶振 16MHz 3.3V (2.50mmx2.00mm)
501JCA20M0000BAFR Si501晶振 20MHz 3.3V (4.00mmx3.20mm)
501JCA20M0000BAGR Si501晶振 20MHz 3.3V (4.00mmx3.20mm)
501JCA20M0000CAFR Si501晶振 20MHz 3.3V (3.20mmx2.50mm)
501JCA20M0000CAGR Si501晶振 20MHz 3.3V (3.20mmx2.50mm)
501JCA20M0000DAFR Si501晶振 20MHz 3.3V (2.50mmx2.00mm)
501JCA20M0000DAGR Si501晶振 20MHz 3.3V (2.50mmx2.00mm)
501AAA24M0000BAFR Si501晶振 24MHz 1.7V~3.6V (4.00mmx3.20mm)
501AAA24M0000BAGR Si501晶振 24MHz 1.7V~3.6V (4.00mmx3.20mm)
501AAA24M0000CAFR Si501晶振 24MHz 1.7V~3.6V (3.20mmx2.50mm)
501AAA24M0000CAGR Si501晶振 24MHz 1.7V~3.6V (3.20mmx2.50mm)
501AAA24M0000DAFR Si501晶振 24MHz 1.7V~3.6V (2.50mmx2.00mm)
501AAA24M0000DAGR Si501晶振 24MHz 1.7V~3.6V (2.50mmx2.00mm)
501JAA24M0000BAFR Si501晶振 24MHz 3.3V (4.00mmx3.20mm)
501JAA24M0000BAGR Si501晶振 24MHz 3.3V (4.00mmx3.20mm)
501JAA24M0000CAFR Si501晶振 24MHz 3.3V (3.20mmx2.50mm)
501JAA24M0000CAGR Si501晶振 24MHz 3.3V (3.20mmx2.50mm)
501JAA24M0000DAFR Si501晶振 24MHz 3.3V (2.50mmx2.00mm)
501JAA24M0000DAGR Si501晶振 24MHz 3.3V (2.50mmx2.00mm)
501JCA24M0000BAFR Si501晶振 24MHz 3.3V (4.00mmx3.20mm)
501JCA24M0000BAGR Si501晶振 24MHz 3.3V (4.00mmx3.20mm)
501JCA24M0000CAFR Si501晶振 24MHz 3.3V (3.20mmx2.50mm)
501JCA24M0000CAGR Si501晶振 24MHz 3.3V (3.20mmx2.50mm)
501JCA24M0000DAFR Si501晶振 24MHz 3.3V (2.50mmx2.00mm)
501JCA24M0000DAGR Si501晶振 24MHz 3.3V (2.50mmx2.00mm)
　　問一:Si50x:Si501/2/3/4–與XO相比,CMEMS較不易受振動(dòng)的影響
　　典型的25MHz石英晶體的質(zhì)量約為1.70mg.CMEMS諧振器的質(zhì)量為27.8ng.CMEMS諧振器的質(zhì)量約為石英晶體的0.000016(?1/61,000).石英晶體物理上安裝在2個(gè)墊板上,如“潛水板”,并且在遭受沖擊或振動(dòng)時(shí)會(huì)基本移動(dòng),從而損害了將晶體附著到其安裝點(diǎn)的環(huán)氧樹脂.CMEMS諧振器牢固地固定在所有四個(gè)角以及中心支架上.鑒于CMEMS諧振器的質(zhì)量要低得多,并且要保持更大的牢度和安全性,因此CMEMS諧振器可以比石英諧振器承受更多的振動(dòng)和G沖擊力.
　　問二:Si501/2/3/4所支持的頻率范圍是什么?
　　Si501/2/3/4所支持的頻率范圍是從32.000KHz持續(xù)至100.000MHz.
　　問三:Si50x:Si501/2/3/4–老化和頻率穩(wěn)定性
　　Si501/2/3/4的加速老化測(cè)試顯示出非常小的頻率偏差,在±2ppm之內(nèi)(+2.1ppm,-1.9ppm).下圖顯示了在125°C老化1000小時(shí)后的設(shè)備頻率輸出誤差.
　　問四:Si50x:Si501/2/3/4上的RMS相位抖動(dòng)
　　Si501/2/3/4有源晶振設(shè)計(jì)用于低周期和周期抖動(dòng)比低頻相位噪聲更為重要的應(yīng)用.許多消費(fèi),工業(yè)和嵌入式應(yīng)用都不關(guān)心“近距離”相位噪聲.通常,只有極低抖動(dòng)的通信應(yīng)用程序才關(guān)注較低頻率的“近距離”抖動(dòng).選擇900KHz至7.5MHz的頻帶是為了給與高頻相位噪聲有關(guān)的應(yīng)用(例如SATA等點(diǎn)對(duì)點(diǎn)存儲(chǔ)協(xié)議)提供典型的均方根相位抖動(dòng).Si501/2/3/4專門針對(duì)周期抖動(dòng)是主要抖動(dòng)問題的成千上萬種低成本和低功耗通用應(yīng)用,并且非常適合這些應(yīng)用.
　　問五:Si501/2/3/4的推薦焊料回流曲線是什么?
　　Si501/2/3/4的推薦回流焊曲線應(yīng)遵循IPC/JEDECJ-STD-020D.注意:在實(shí)驗(yàn)室使用時(shí),只要不使用過多熱量,就可以將SI501/2/3/4手工焊接到PCB上.
　　問六:Si50x現(xiàn)場(chǎng)編程器可以重新編程以前已編程好的設(shè)備嗎?
　　Si可以將Si501/2/3/4設(shè)備使用一次性替換(OTP)配置內(nèi)存.Si50x設(shè)備被編程好之后,不可以更改或重新編程以前已編程的信息.
　　問七:如果器件在正常的-40C至+85C溫度范圍之外工作,則頻率穩(wěn)定度(ppm)可能會(huì)發(fā)生什么?
　　在超出數(shù)據(jù)手冊(cè)規(guī)定工作范圍的溫度下,無法保證器件規(guī)格(例如,Si501/2/3/4的初始精度和總穩(wěn)定性).話雖如此,設(shè)備參數(shù),如頻率穩(wěn)定性,不應(yīng)突然改變,而應(yīng)隨溫度平穩(wěn)地偏離.同樣,我們不保證超出數(shù)據(jù)手冊(cè)規(guī)定的限制工作,建議始終使器件保持在工作限制內(nèi).
關(guān)于Silicon品牌501ACA10M0000DAG振蕩器的技術(shù)知識(shí)問答
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