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產(chǎn)品系列

首頁(yè)進(jìn)口晶振有源晶振,愛普生晶振,SG-310晶振,貼片晶振,SG-310SCF 25.0000MB3

    有源晶振,愛普生晶振,SG-310晶振,貼片晶振,SG-310SCF 25.0000MB3

  • 編號(hào):18481732
  • 頻率:2.0M~80MHz
  • 尺寸:3.2*2.5mm詳情瀏覽PDF文檔
  • RoHS
  • RoHS2
SPXO晶體振蕩器,SG-310晶體,"SG-310SCF 25.0000MB3"有源晶振,頻率范圍:2MHz~ 80MHz.電源電壓:1.8V/2.5V/3.3V.電流消耗:1.5mA Typ.(SEF 1.8V 無負(fù)載條件 48MHz).功能:待機(jī)().外部尺寸規(guī)格:3.2x 2.5x1.05mm


      SPXO晶體振蕩器,SG-310晶體,有源晶振."SG-310SCF 25.0000MB3",小型SMD有源晶振,從最初超大體積到現(xiàn)在的7050mm,6035mm,5032mm,3225mm,2520mm體積,有著翻天覆地的改變,體積的變小也試產(chǎn)品帶來了更高的穩(wěn)定性能,接縫密封石英晶體振蕩器,精度高,覆蓋頻率范圍寬的特點(diǎn),SMD高速自動(dòng)安裝和高溫回流焊設(shè)計(jì),Optionable待機(jī)輸出三態(tài)輸出功能,電源電壓范圍:1.8V~5 V,高穩(wěn)定性,低抖動(dòng),低功耗,主要應(yīng)用領(lǐng)域:無線通訊,高端智能手機(jī),平板筆記本W(wǎng)LAN,藍(lán)牙,數(shù)碼相機(jī),DSL和其他IT產(chǎn)品的晶振應(yīng)用,三態(tài)功能,PC和LCDM等高端數(shù)碼領(lǐng)域,符合RoHS/無鉛.

EPSON項(xiàng)目 符號(hào) 規(guī)格說明 條件
SG-310 SEF SG-310 SDF SG-310 SCF SG-310 SDN SG-310 SCN
輸出
頻率范圍
f0 2.000MHz ~ 48.000MHz 3.000MHz ~ 80.000MHz  
電源電壓 VCC 1.8V Typ.
1.6V ~ 2.2V
2.5V Typ.
2.2V ~ 3.0V
3.3V Typ.
2.7V ~ 3.6V
2.5V Typ.
2.2V ~ 2.7V
3.3V Typ.
2.7V ~ 3.6V
 
儲(chǔ)存溫度 T_stg -40°C ~ +125°C 裸存
工作溫度 T_use -40°C ~ +85°C  
頻率穩(wěn)定度 f_tol B: ±50 × 10-6, C: ±100 × 10-6 -20°C ~ +70°C
L: ±50 × 10-6, M: ±100 × 10-6 -40°C ~ +85°C
- D:±20 × 10-6 ,
S:±25 × 10-6
-20°C ~ +70°C
- R:±25 × 10-6 -30°C ~ +85°C
- P:±20 × 10-6 -30°C ~ +85°C
- J:±25 × 10-6 -40°C ~ +85°C
功耗 ICC 1.5mA Max. 1.5mA Max. 1.5mA Max. 4.0mA Max. 5.0mA Max. 無負(fù)載條件,
2MHz ≤ f0 ≤ 4MHz
1.5mA Max. 1.5mA Max. 2.0mA Max. 無負(fù)載條件,
4MHz < f0 ≤ 8MHz
1.5mA Max. 2.0mA Max. 2.5mA Max. 無負(fù)載條件,
8MHz < f0 ≤ 16MHz
2.0mA Max. 2.0mA Max. 2.5mA Max. 無負(fù)載條件,
16MHz < f0 ≤ 25MHz
2.0mA Max. 2.5mA Max. 3.5mA Max. 無負(fù)載條件,
25MHz < f0 ≤ 33MHz
3.0mA Max. 3.5mA Max. 4.5mA Max. 無負(fù)載條件,
33MHz < f0 ≤ 48MHz
- 6.0mA Max. 7.0mA Max. 無負(fù)載條件,
48MHz < 
f0 ≤ 80MHz
待機(jī)電流 I_std 0.7μA Max.
(0.2μA Typ.)
1.5μA Max.
(0.5μA Typ.)
2.0μA Max.
(1.0μA Typ.)
10µA Max. ST=GND
占空比 SYM 45% ~ 55% 45% ~ 55% 45% ~ 55% 45% ~ 55% 2MHz ≤ f0 ≤ 16MHz 50% VCC
L_CMOS ≤ 15pF
40% ~ 60% 16MHz < f0 ≤ 40MHz
40% ~ 60% 40MHz < f0 ≤ 80MHz
輸出電壓 VOH 90% VCC Min. IOH=-3mA
VOL 10% VCC Max. IOL=3mA
輸出
負(fù)載條件
CMOS
L_CMOS 15pF Max.  
輸入電壓 VIH 80% VCC Min. 70% VCC Min. ST終端
VIL 20% VCC Max. 30% VCC Max.
上升/
下降時(shí)間
tr / tf 4ns Max. 20% VCC ~ 80% VCC極,
L_CMOS=15pF
振蕩啟動(dòng)
時(shí)間
t_str 10ms Max. 2ms Max. 在90% VCC 時(shí),所需時(shí)間為0秒
頻率老化 f_aging ±5 × 10-6 / year Max. ±3 × 10-6 / year Max. +25°C,第一年,
VCC=1.8V, 2.5V, 3.3V
- ±10 × 10-6 Max. +25°C,10年



    "SG-310SCF 25.0000MB3", 石英材料中的二氧化硅分子(SiO2) 在正常狀態(tài)下, 其電偶極是互相平衡的電中性. 在(圖二左)的二氧化硅是以二維空間的簡(jiǎn)化圖形. 當(dāng)我們?cè)诠柙由戏郊把踉酉路椒謩e給予正電場(chǎng)及負(fù)電場(chǎng)時(shí), 空間系統(tǒng)為了維持電位平衡, 兩個(gè)氧原子會(huì)相互排斥, 在氧原子下方形成一個(gè)感應(yīng)正電場(chǎng)區(qū)域, 同時(shí)在硅原子上方產(chǎn)生感應(yīng)負(fù)電場(chǎng)區(qū)域. 相反的情況, 當(dāng)我們?cè)诠柙由戏郊把踉酉路椒謩e給予負(fù)電場(chǎng)及正電場(chǎng)時(shí), 兩個(gè)氧原子會(huì)相互靠近, 氧原子下方產(chǎn)生感應(yīng)負(fù)電場(chǎng),硅原子上方產(chǎn)生感應(yīng)正電場(chǎng). (圖二). 然而, 氧原子的水平位置變化時(shí), 鄰近的另一個(gè)氧原子會(huì)相對(duì)的產(chǎn)生排斥或吸引的力量, 迫使氧原子回到原來的空間位置. 因此, 電場(chǎng)的力量與原子之間的力量會(huì)相互牽動(dòng), 電場(chǎng)的改變與水平方向的形變是形成交互作用狀態(tài). 這個(gè)交互作用會(huì)形成一個(gè)在石英材料耗能最小的振動(dòng)狀態(tài), 祇要由電場(chǎng)持續(xù)給與能量, 石英材料就會(huì)與電場(chǎng)之間維持一個(gè)共振的頻率. 這個(gè)壓電效應(yīng)下氧原子的振幅與電場(chǎng)強(qiáng)度及電場(chǎng)對(duì)二氧化硅的向量角度有相對(duì)應(yīng)的關(guān)系.在實(shí)際的應(yīng)用上, 電場(chǎng)是由鍍?cè)谑⑿酒系慕饘匐姌O產(chǎn)生, 電場(chǎng)與二氧化硅的向量角度則是由石英晶棒的切割角度來決定.


   "SG-310SCF 25.0000MB3",愛普生株式會(huì)社承諾所有的運(yùn)作皆遵守本地國(guó)家的法律,并符合國(guó)際上所共同認(rèn)知環(huán)保與社會(huì)責(zé)任的標(biāo)準(zhǔn),執(zhí)行各項(xiàng)環(huán)境及職業(yè)安全衛(wèi)生管理工作;落 實(shí)公司環(huán)安衛(wèi)政策要求使環(huán)境暨安全衛(wèi)生管理成效日益顯著,不僅符合國(guó)內(nèi)環(huán)保、勞安法令要求,同時(shí)也能達(dá)到國(guó)際環(huán)保、安全衛(wèi)生標(biāo)準(zhǔn). 
    我們將持續(xù)關(guān)注企業(yè)社會(huì)責(zé)任各項(xiàng)新議題,使本公司更加完整并落實(shí)企業(yè)社會(huì)責(zé)任所有面向. 
    對(duì)內(nèi),我們將透過各種教育訓(xùn)練與活動(dòng),用心創(chuàng)造一個(gè)多元且充滿活力的工作環(huán)境 (例如健康促進(jìn)活動(dòng)); 
    對(duì)外,本公司透過與利害相關(guān)團(tuán)體間的溝通,積極落實(shí)企業(yè)社會(huì)責(zé)任活動(dòng),持續(xù)投入社會(huì)公益,降低對(duì)社會(huì)環(huán)境之沖擊. 
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